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公司基本資料信息
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(c)電容器絕緣電阻(IR)的測量值與電容量成反比,也就是說,IR是電容量的函數(shù),因此,工業(yè) 應用中產(chǎn)品IR的最小標準是由電阻(R)和容量(C) , (RXC),所決定的,如下表所示。EIA標 準要求產(chǎn)品在25°C時RXC超過1000歐姆-法拉(通常表示成1000兆歐-微法),在125°C時超過100 歐姆-法拉(僅為下表中數(shù)值的10%)。
最小IR值與電容量的關系 |
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電容量 |
最小IR (GQ) |
最小 RxC (QF) |
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25 C |
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0.1pF~0.01uF |
100 |
1000 |
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0.015 |
66.67 |
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1 |
0.022 |
45.45 |
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0.033 |
30.3 |
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0.047 |
21.28 |
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0.068 |
14.71 |
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0.1 |
10 |
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0.15 |
6.67 |
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0.22 |
4.55 |
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0.33 |
3.03 |
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0.47 |
2.13 |
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0.68 |
1.47 |
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1 |
1 |
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r |
通常,電介質(zhì)具有很高的電阻值,測量時往往用10的高次方倍歐姆表示:
皮法表示。單層電容器為例,電極面 積1.0X1.0",介質(zhì)層厚度0.56〃,介電常數(shù)2500,
C = 2500 (1.0) (1.0) /4.452 (0.56) = 10027 pF 如果采用公制體系,換算因子f = 11.31,尺寸單位改為cm,
C = 2500 (2.54) (2.54) /11.31 (0.1422) = 10028 pF 正如前面討論的電容量與幾何尺寸關系,增大電極面積和減小介質(zhì)層厚度均可獲得更大的電容量。然而, 對于單層電容器來說,無休止地增大電極面積或減小介質(zhì)層厚度是不切實際的。因此,平行列陣迭片電聯(lián)系歐陽:15217057671 0755-2 9120592 QQ:2355274968 可獲得免費寄樣服務,隨時歡迎您的來 電
容器的概念被提出,用以制造具有更大比體積電容的完整器件,如下圖所示。